⑴為什麼在金氧半場效電晶體（MOSFET）的通道所計算的載子遷移率和一般半導體材料（semiconductor material）量測的載子遷移率是不同的？請說明原因。（10 分）

⑵高電子遷移率電晶體（High-Electron-Mobility Transistor, HEMT）為常用於高頻通訊的元件之一，因為這種元件具有可以在低溫時降低雜質散射（Impurity Scattering）效應而提升二維電子雲（Two-Dimension Electron Gas, 2DEG）的電子遷移率之優點；但在室溫或較高溫度時仍然會受到晶格散射（Lattice Scattering）的影響，能提升電子遷移率的效應有限。然而，我們都是在室溫使用這種元件於通訊裝置，請說明高電子遷移率電晶體在室溫可以提供的優點。（10 分）