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電子學(包括電力電子學)
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99年 - 99 專技高考_電機工程技師:電子學(包括電力電子學)#38834
> 申論題
題組內容
一、圖一所示之電晶體放大器電路中,輸入訊號電壓vs為一正弦波電壓。已知該電路之 參數為:V
CC
=+15 V、V
EE
=-15 V、R
S
=2.02 kΩ、R
L
=10 kΩ;電晶體參數為:共 射極電流增益(common-emitter current gain) β=99、輸出電阻(output resistance) r
o
=200 kΩ、熱電壓(thermal voltage) V
T
=25 mV、V
BE
=0.7 V。
⑵試求該放大器的電壓增益(voltage gain)。(10 分)
相關申論題
⑴NMOS電晶體Q1及Q2之閘極寬度(gate width)。 (10 分)
#115429
⑵電阻器 R 之值。(10 分)
#115430
⑴閘流體電流iTH(t)之有效值(effective value)及平均值(average value)。(10 分)
#115433
⑵負載電流iL(t)之有效值及平均值。(10 分)
#115434
⑴比較游離(ionization)與激發(excitation)之間的差異?
#115435
⑵比較直接(direct)與間接(indirect)游離輻射之間的差異?
#115436
⑶比較特性(characteristic)與制動(bremsstrahlung)輻射之間的差異?
#115437
⑴決定 X 光射束最高能量的因素為何?
#115438
⑵決定 X 光射束能譜的因素為何?
#115439
⑶請說明 X 光管電流對於 X 光射束的影響?
#115440
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