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半導體工程
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97年 - 97 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#39852
> 申論題
一、對一n型摻雜且室溫（300 K）下濃度為 1 × 10
15
cm
-3
的矽半導體，試畫出此半導體 在低溫（如低於 77 K）與高溫（如高於 500 K）時的能帶圖，此能帶圖需包含費米 能階與能隙的變化，並加以解釋所繪能帶圖之意義。（10 分）
相關申論題
二、p-n 二 極 體 有 所 謂 的 空 乏 電 容 （ Depletion capacitance ） 與 擴 散 電 容 （ Diffusion capacitance），請說明這兩種電容的形成機制。（10 分）
#120330
三、對於高度摻雜的p+-n+穿隧二極體（Tunneling diode），請繪出此穿隧二極體工作於 順向偏壓下的電流對電壓（Current-voltage，I-V）特性曲線圖，並加以解釋所繪電 流對電壓曲線圖之意義。（20 分）
#120331
四、⑴在 雙 極 性 電 晶 體 （ Bipolar Junction Transistor, BJT） 中 有 所 謂 的 歐 利 效 應 （Early effect），請說明此效應的產生機制。（10 分）
#120332
⑵在金屬-氧化層-半導體場效應電晶體（ Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）中有所謂的夾止（Pinch-off）現象，請說明此現象的產生 機制。（10 分）
#120333
⑶光檢測器（Photodetector）和太陽電池（Solar cell）都是二極體經照光後可將光能 轉換為電能的元件，試畫出光檢測器和太陽電池在照光前後的電流對電壓 （Current-voltage，I-V）特性曲線圖，並解釋這兩種元件的差異。（10 分）
#120334
⑴請說明這兩種技術所得到的濃度對深度的分布（Depth profile）有什麼不同？（15 分）
#120335
⑵通常在離子佈植過程中有所謂的通道效應（Channeling effect），通道效應是什麼？ 對元件特性有什麼影響？（15 分）
#120336
五、隨著技術節點持續微縮，曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降，至鰭式場效電晶體（FinFET）時代，如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。（20 分）
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應？並說明此方法可能導致的副作用。（12 分）
#560351
(一)請說明為何金氧半場效電晶體（MOSFET）的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。（8 分）
#560350
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