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半導體工程
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102年 - 102 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#39521
> 申論題
一、請繪出正三角形晶格（Lattice）之維格納-塞茨晶胞（Unit cell）。（10 分）
相關申論題
三、假設影響載子遷移率的散射因素只有三種，各單獨因素造成的載子遷移率分別為 1000, 500, 200 cm2/V-sec，請計算實際的載子遷移率。（10 分）
#117895
四、某半導體之能隙為 1 eV，p 型費米能階在價帶上方 0.3 eV，n 型費米能階在導帶下 方 0.1 eV，請畫出結合成 p-n 接面後的能帶圖，並標示接面處的電場方向。又內建 電位差（Build-in potential）是多少？（20 分）
#117896
五、請說明金氧半場效電晶體（MOSFET）的汲極電流-汲極電壓特性的線性區和飽和區 的形成原因。（10 分）
#117897
六、光學微影製程的解析度和焦距深度都和數值孔徑（Numerical aperture）有關，請以 圖示說明當數值孔徑增大時，解析度變好但是焦距深度變差的原因。（20 分）
#117898
七、電子束蒸鍍（E-beam evaporation）和濺鍍（Sputter deposition）的階梯覆蓋能力，何 者較佳？為甚麼？（10 分）
#117899
⑴說明重摻雜半導體為什麼會出現能隙窄化（bandgap narrowing）的現象？（6 分）
#117900
⑵能隙窄化對雙極接面電晶體之射極注入效率（emitter injection efficiency）因數 γ 有何影響？（6 分）
#117901
⑴多數載子會在上圖半導體那一邊堆積？此半導體為 n 型抑或是 p 型？（5 分）
#117902
⑵求多數載子的遷移率（majority carrier mobility）。（5 分）
#117903
⑶求多數載子的濃度（majority carrier concentration）。（5 分）
#117904
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