三、⑴現今半導體製程都使用 n 型高摻雜的多晶矽做為 npn 雙極性接面電晶體（Bipolar Junction Transistor，BJT）的射極層與歐姆接觸層，以取代傳統的 n 型高摻雜單晶矽與金屬歐姆接觸層，請說明原因。（10 分）

五、⑴ 通常成長二氧化矽（ SiO2 ）或矽的氧化層薄膜的方式有熱氧化法（ Thermal Oxidation）中的乾氧化（Dry Oxidation）與濕氧化（Wet Oxidation），化學氣相沉積（ Chemical Vapor Deposition ），與電漿加強式化學氣相沉積（ Plasma- Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD）。若要成長應用於金氧半電晶體（MOSFET）的高品質二氧化矽薄膜，應該使用那一種氧化技術？請說明原因。（10 分）