三、一個陡峭（abrupt）P+N 接面，NA = 1019/cm3、ND = 1017/cm3。求內建電位（built-in potential），以及未外接偏壓時的空乏區寬度（depletion width）。T = 300 K, kB = 8.62 ×10-5 eV/K, ni = 1.45 ×1010/cm3, εSi = 11.9, ε0 = 8.854 ×10-14 F/cm, q = 1.6 × 10-19 C。計算空乏區寬度時可忽略 P 邊的空乏區。（20 分）

四、一個 N+PN 雙極性電晶體，其射極與基極的雜質濃度分別為 ND 與 NA，電洞與電子的擴散長度分別為 Lp 與 Ln，基極中性區的厚度為 W。若電晶體處於順向作用區（forward active），基極中性區靠射極側的邊緣被注入的電子濃度為 np(0)，而靠集極側的電子濃度為 np0。假設電子的擴散長度 Ln>>W，電子的復合生命期為 τn、擴散係數為 Dn。說明電子在基極中性區的傳導過程、分布的形式，並求電子貢獻的集極電流密度 JC 以及基極電流密度 JB。（20 分）