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申論題資訊

試卷:103年 - 103 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#39515
科目:半導體工程
年份:103年
排序:0

申論題內容

三、一個陡峭(abrupt)P+N 接面,NA = 1019/cm3、ND = 1017/cm3。求內建電位(built-in potential),以及未外接偏壓時的空乏區寬度(depletion width)。T = 300 K, kB = 8.62 ×10-5 eV/K, ni = 1.45 ×1010/cm3, εSi = 11.9, ε0 = 8.854 ×10-14 F/cm, q = 1.6 × 10-19 C。 計算空乏區寬度時可忽略 P 邊的空乏區。(20 分)