三、請畫出矽和砷化鎵之電子漂移(drift)速度與電場之關係圖，並說明其不同之處與原因。（10 分）

四、矽的 PN 二極體屬單邊陡接面二極體(one-sided abrupt junction)，其 NA=2×1019 cm-3， ND=1×1016 cm-3，請計算其二極體之內建電壓(Vbi)，空乏區(W)，接面電容(在 0V 時) 。 Note：矽本質濃度 9.65×109 cm-3，介電常數 11.7。（12 分）