申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：109年 - 109 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#88494
科目：半導體工程
年份：109年
排序：0

二、一矽晶棒摻雜砷原子10¹⁶ atoms/cm³，請分析室溫之電子與電洞載子濃度，並畫出能帶中之費米能階。Note：n_i for Si is 9.65✖ 10⁹ /cm³。（12分）

詳解提供者：hchungw