申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：111年 - 111 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#112359
科目：半導體工程
年份：111年
排序：0

申論題內容

二、對一長度為 L 且此長度兩端施加偏壓 V 的 n 型半導體，假設電子的擴散長度為 L_n，電子的擴散係數為 D_n，電子的遷移率（mobility）為 μ_n，電子濃度為 n，電子電荷為 q。假設沿長度 L方向為 x 軸方向，且電子速度達到飽和值 v。請寫出此半導體的漂移（drift）電流密度與擴散（diffusion）電流密度方程式？（20 分）