阿摩線上測驗
登入
首頁
>
半導體工程
>
96年 - 96 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#40379
> 申論題
二、請說明並繪圖出晶圓之規格 TIR(Total indicated runout),TTV(Total thickness variation)與 FPD(Focal plane deviation)之定義。(24 分)
相關申論題
三、何謂 Lift-off 製程?於元件製作過程中,那一步驟須此製程?(12 分)
#124093
四、請說明晶圓先烘烤(prebake),光阻軟烤(soft-bake)與光阻硬烤(hard-bake)之功 能為何?(9 分)
#124094
五、請說明單晶之矽晶圓與砷化鎵晶圓有何不同?並說明此兩種材料之自然斷裂面分別 為那一平面?為何有此差異?(15 分)
#124095
六、何為軟性電子?薄膜電晶體與傳統電晶體有何差異?(8 分)
#124096
七、浸潤式曝光顯影與傳統曝光顯影有何差異?其主要用途為何?(8 分)
#124097
一、DRAM 記憶體單元是由一個電晶體與一個電容所組成。若記憶體面積為 1µ m2,且 電容具 4 nm 之 SiO2 介電層,又工作電壓為 2V,請問有多少電子儲存在記憶體單元。 (SiO2 介電常數:3.9)(10 分)
#124098
二、請說明兩種矽晶棒(Ingot)之製作方式,並比較其優缺點。(20 分)
#124099
三、Si 於電漿中被蝕刻是根據以下之反應:Si(s) + 2Cl2(g) → SiCl4(g)。若通入氯氣流量 為 100 sccm,請問理論之 200 mm 直徑之矽晶圓最大蝕刻率為多少? (Si atom weight: 28.09,Density: 2.329 g/cm3)(15 分)
#124100
四、請說明常用之物理性鍍膜有那三類?試比較其優缺點。(15 分)
#124101
六、以 PN 二極體為例,說明其空間電荷形成之原因,並說明於何處其電場強度最大。 (20 分)
#124103
相關試卷
114年 - 114 地方政府公務特種考試_三等_電子工程:半導體工程#134688
114年 · #134688
114年 - 114 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#128721
114年 · #128721
114年 - 114 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#128720
114年 · #128720
113年 - 113 地方政府公務特種考試_三等_電子工程:半導體工程#124513
113年 · #124513
113年 - 113 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#121484
113年 · #121484
112年 - 112 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#118133
112年 · #118133
112年 - 112 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#115437
112年 · #115437
111年 - 111 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#112359
111年 · #112359
111年 - 111 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#109458
111年 · #109458
111年 - 111 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#108533
111年 · #108533