申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：108年 - 108 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#77994
科目：半導體工程
年份：108年
排序：0

四、⑴成長二氧化矽（SiO2）薄膜的方式通常都使用熱氧化法（thermal oxidation），熱氧化法又分乾氧化（dry oxidation）與濕氧化（wet ，請解釋為什麼濕氧化的成長速率大於乾氧化的成長速率？ oxidation）（10 分）