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申論題

試卷：102年 - 102 公務升官等考試_簡任_電子工程：積體電路技術研究#43806
科目：積體電路技術
年份：102年
排序：0

申論題資訊

試卷：102年 - 102 公務升官等考試_簡任_電子工程：積體電路技術研究#43806
科目：積體電路技術
年份：102年
排序：0

申論題內容

四、請分別敘述半導體中兩種摻雜技術的特性及不同處。若要形成 MOS 元件的 Source /Drain 應採何者較合宜？（20 分）