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申論題

試卷：102年 - 102 公務升官等考試_簡任_電子工程：積體電路技術研究#43806
科目：積體電路技術
年份：102年
排序：0

申論題資訊

試卷：102年 - 102 公務升官等考試_簡任_電子工程：積體電路技術研究#43806
科目：積體電路技術
年份：102年
排序：0

申論題內容

一、何謂 CMOS n-well 技術？試繪剖面圖（cross-sectional view）說明 NMOS 及 PMOS 的結構。同時將兩者均採操作於 Saturation Mode 之下畫出其通道形式。注意通道 厚度、長度並標示出 Source 及 Drain 兩端點的位置。（20 分）