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110年 - 110 中華郵政股份有限公司_職階人員甄試試題_營運職／電機工程：電路學與電子學#106541
> 申論題
題組內容
第一題： 直流電路如【圖一】所示，直流電壓源電壓
=300 V，請回答下列問題：
（一）請計算 a、b 兩端間的戴維寧(Thevenin)等效電壓
及等效電阻
。【10 分】
相關申論題
（二）若調整電阻RL以獲得最大功率消耗，在此情況下，請計算流經的電流的消耗功率，以及電阻6Ω及18Ω的消耗功率。【15 分】
#453765
（一）請計算負載的電流、負載的實功率、虛功率及功率因數。【10 分】
#453766
（二）調整電容抗，使電源提供的功率因數為 1.0，在此情況下，請計算電源的電流、流經電容抗的電流、電容抗 及其電容值。【15 分】
#453767
（一）請說明 D1、D2之操作狀態（說明 D1、D2導通或截止）？【5 分】
#453768
（二）I =？【10 分】
#453769
（三）Vo=？【10 分】
#453770
（一）此 FET 放大器的電壓增益 v0/vi為何？【10 分】
#453771
（二）若源極電阻(3.9 kΩ)的旁路電容 拿掉時，則此放大器的電壓增益 v0/vi為何？ 【15 分】
#453772
四、如圖 4 所示之兩顆 N 型金氧半（metal-oxide-semiconductor, MOS）電晶體 Q1、Q2，已知其設計參數均為：臨界電壓 Vt = 1 V、製程互導參數 μnCox =120 μA/V2、通道長度調變效應 λ = 0、通道長度 L = 1 μm。若設定 I = 120μA、 V1 = 3.5 V、V2 = 1.5 V、VDD = 5 V，試求工作在飽和區之兩電晶體的閘極 寬度，以及電阻值 R 的大小。（25 分）
#570031
三、如圖 3 所示之 pnp 型雙載子接面電晶體（bipolar junction transistor）電路， 已知其共射極電流增益（common-emitter current gain）β = 50、射基接面 電壓 VEB = 0.7 V、基極電阻器 RB = 100 kΩ，為使集極電壓為 VC = 5 V， 試求集極電阻器 RC 之值與此時的基集接面電壓。若換成一顆β = 150 之 新電晶體，則該新電晶體的基集接面電壓變為多少？新電晶體變成在那 一區工作？（25 分）
#570030
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=300 V，請回答下列問題：
及等效電阻
。【10 分】
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=300 V，請回答下列問題：及等效電阻。【10 分】