申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：103年 - 103 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#39513
科目：半導體工程
年份：103年
排序：0

題組內容

三、

申論題內容

由一 n 型矽半導體與金（Au）形成蕭特基接面（Schottky junction），假如金的功函數（work function）為 4.8 eV，矽的電子親和力（electron affinity）為 4.05 eV ，矽的能隙為 1.1 eV，矽的功函數為 4.15 eV，請計算此蕭特基接面的能障值（barrier height）與內建電位值（built-in potential）。（10 分）