⑵在金氧半場效電晶體的製程中常常使用金屬矽化物（Silicide），請說明金屬矽化物在金氧半場效電晶體的結構是什麼？它可以提供什麼優點？（每小題 10 分，共 20 分）

⑵對於一金屬與半導體的蕭特基接觸（Schottky Contact），半導體為 n 型矽單晶材料，它的能隙（Energy Gap）是 1.1 eV，電子親和力（Electron Affinity）是 4.05 eV，功函數（Work Function）是 4.15 eV；金屬為金，它的功函數是 5.1 eV。請問蕭特基能障是多少？此值會和我們實際量測計算的能障值常常會有所不同，請說明原因。（每小題 10 分，共 20 分）