申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：104年 - 104 公務升官等考試_簡任_化學工程：高等化學反應工程學研究#41699
科目：化學反應工程學
年份：104年
排序：0

二、矽（Si）薄膜在半導體製程中可利用四氯甲矽烷（SiCl₄）與氫氣（H₂）在平面基板上以氣相沉積方式鍍膜，設 S 為鍍膜表面活性位置（active site），整體反應機制如下：

⑵請分別說明矽薄膜之生成速率隨 SiCl₄、H₂ 與 Cl₂ 分壓之變化關係。（6 分）