題組內容

三、在金屬/氧化層/p型矽（MOS）元件中，已知氧化層SiO2厚度為 5 nm，其介電係數ϵ SiO2 = 3.9 ϵo，其中ϵo = 8.85×10 -14  F/cm，矽之介電係數ϵsi = 11.7 ϵo，當加上負偏壓使 該元件處於聚集區（accumulation region），氧化層之壓降為Vox = -2 V。

⑵請求出在矽半導體之淨電荷量Qs (C/cm2) = ？（7 分）