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半導體工程
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101年 - 101 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#39534
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題組內容
一、若一個半導體中電子的漂移速度 v 與外加電場 E 之間的關係可被模擬為: a
求該半導體之:
⑵飽和速度(saturation velocity)v
sat
。(7 分)
其他申論題
⑴SSL 安全傳輸協定屬於 TCP/IP 通訊協定中那一層的服務?(4 分)
#118037
⑵使用者如何辨識連結的網頁是否為 SSL 保護的網頁?(4 分)
#118038
⑶請簡述 SSL 安全通訊協定能提供線上電子商務服務那些安全需求?(12 分)
#118039
⑴遷移率(mobility)μ。(7 分)
#118040
⑴請說明 n 型砷化鎵為何會顯現負微分遷移率(negative differential mobility)。(9 分)
#118042
⑵請由你的說明歸納出半導體會具有負微分遷移率的幾個必要條件。(9 分)
#118043
⑴ 說 明 如 何 從 一 個 pn 二 極 體 的 順 向 偏 壓 I-V 特 性 來 得 到 逆 向 飽 和 電 流 ( reverse saturation current)Is。(8 分)
#118044
⑵為何不直接從 pn 二極體的逆向偏壓 I-V 特性得到逆向飽和電流,有何實際困難? (8 分)
#118045
⑴說明這兩個電容的成因為何?(6 分)
#118046
⑵在順向偏壓下,主控的電容會是那一個?為什麼?(6分)
#118047