阿摩線上測驗
登入
首頁
>
半導體工程
>
102年 - 102 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#39522
> 申論題
題組內容
五、在熱氧化製程中，分析發現氧化物厚度 x
ox
與氧化時間 t 之間的關係為下列的二次方 程式：
⑶ A=？（5 分）
相關申論題
⑴說明重摻雜半導體為什麼會出現能隙窄化（bandgap narrowing）的現象？（6 分）
#117900
⑵能隙窄化對雙極接面電晶體之射極注入效率（emitter injection efficiency）因數 γ 有何影響？（6 分）
#117901
⑴多數載子會在上圖半導體那一邊堆積？此半導體為 n 型抑或是 p 型？（5 分）
#117902
⑵求多數載子的遷移率（majority carrier mobility）。（5 分）
#117903
⑶求多數載子的濃度（majority carrier concentration）。（5 分）
#117904
⑴說明這兩種二極體的電流傳導的主控機制有何不同？（6 分）
#117905
⑵說明這兩種二極體的順向偏壓電流及開啟電壓（turn-on voltage）有何不同？ （6 分）
#117906
⑶說明這兩種二極體的切換特性有何不同？ （6 分）
#117907
⑴區域⑴之中電子的主要來源是什麼？（3 分）
#117908
⑵區域⑶之中電子的主要來源是什麼？（3 分）
#117909
相關試卷
114年 - 114 地方政府公務特種考試_三等_電子工程：半導體工程#134688
114年 · #134688
114年 - 114 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#128721
114年 · #128721
114年 - 114 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#128720
114年 · #128720
113年 - 113 地方政府公務特種考試_三等_電子工程：半導體工程#124513
113年 · #124513
113年 - 113 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#121484
113年 · #121484
112年 - 112 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#118133
112年 · #118133
112年 - 112 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#115437
112年 · #115437
111年 - 111 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#112359
111年 · #112359
111年 - 111 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#109458
111年 · #109458
111年 - 111 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#108533
111年 · #108533
阿摩線上測驗
登入
阿摩線上測驗
登入