申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：99年 - 99 高等考試_二級_電子工程：電子元件#46323
科目：電子元件
年份：99年
排序：0

題組內容

二、一個 N+複晶矽-二氧化矽-p 型矽基板的 MOS 電容器內，當基板摻雜濃度減少時，請說明下列各參數有何變化，並簡單解釋。（每小題 4 分，共 20 分）

申論題內容

⑸臨界電壓（threshold voltage）。