105年 - 105 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#54457

科目：半導體工程 | 年份：105年 | 選擇題數：0 | 申論題數：9

試卷資訊

所屬科目：半導體工程

選擇題 (0)

申論題 (9)

⑴求電位差 ΔV (= V ( L) - V (0)) 、電場強度分布 E(x)與以 n0 、 L 與 ΔV 為參數表示之電 子濃度分布 n(x ) 。 （10 分）
⑵若將此 n 型半導體右端接地，左端外接一電壓源VA (= ΔV ) ，請繪出此 n 型半導體之 能帶圖並求淨電子電流密度分布 J n (x ) ，已知電子移動率（mobility）為 μ n 。 （15 分） 
⑴請繪出此兩個元件於照光（光能量>矽能隙寬度）前與後的 I-V 特性曲線。
⑵比較兩個元件於照光下的 I-V 曲線，說明其不同處及造成兩者差異之原因。 
⑴若汲極飽和電壓與飽和電流分別為 2.5 V 與 5 mA，請繪出汲極電壓範圍 0 ≤ Vds ≤ 5 V 之輸出特性曲線並求對應此曲線之閘極電壓Vgs 。
⑵求於Vds = Vgs = 4.5 V 偏壓下之汲極電流 I ds 以及於源極端與汲極端之單位面積反轉 層電荷量。
四、請敘述雙極性接面電晶體（BJT）擁有電流放大能力之主因。（15 分）
⑴請繪出蝕刻深度為 0.707 μm 時所得蝕刻圖形的剖面圖（須標示蝕刻圖形之尺寸、 蝕刻面及角度）（15 分） 。
⑵請說明何以得到此種蝕刻圖案之原因。 （5 分）