申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：105年 - 105 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#54457
科目：半導體工程
年份：105年
排序：0

題組內容

五、若以 SiO₂ 為遮罩材料（開口尺寸為 3 μm × 3 μm ）並採用 KOH 溶液分別蝕刻（100）與（

）晶面矽基板。

申論題內容

⑴請繪出蝕刻深度為 0.707 μm 時所得蝕刻圖形的剖面圖（須標示蝕刻圖形之尺寸、蝕刻面及角度）（15 分）。