題組內容

五、若以 SiO2 為遮罩材料（開口尺寸為 3 μm × 3 μm ）並採用 KOH 溶液分別蝕刻（100） 與（）晶面矽基板。

⑴請繪出蝕刻深度為 0.707 μm 時所得蝕刻圖形的剖面圖（須標示蝕刻圖形之尺寸、 蝕刻面及角度）（15 分） 。