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105年 - 105 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#54457
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申論題
試卷：105年 - 105 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#54457
科目：半導體工程
年份：105年
排序：0
申論題資訊
試卷：
105年 - 105 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#54457
科目：
半導體工程
年份：
105年
排序：
0
題組內容
五、若以 SiO
2
為遮罩材料（開口尺寸為 3 μm × 3 μm ）並採用 KOH 溶液分別蝕刻（100） 與（
）晶面矽基板。
申論題內容
⑵請說明何以得到此種蝕刻圖案之原因。 （5 分）
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）晶面矽基板。