題組內容

二、若有一理想 n 型矽半導體與一理想矽 pn 接面二極體，其元件結構如圖 2 所示。（每小題 10 分，共 20 分）

⑵比較兩個元件於照光下的 I-V 曲線，說明其不同處及造成兩者差異之原因。

詳解 (共 1 筆)

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詳解 #4550007

2021/02/18

對n型矽而言，照光前的導電率為 n0qm...

(共 149 字，隱藏中）

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