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技檢◆工業電子-丙級
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112年 - 02800 工業電子 丙級 工作項目 09:電子學 51-100#18971
科目:
技檢◆工業電子-丙級 |
年份:
112年 |
選擇題數:
50 |
申論題數:
0
試卷資訊
所屬科目:
技檢◆工業電子-丙級
選擇題 (50)
51. 有一電源電路之輸出端,利用直流電壓表測得 25V,利用交流電壓表串聯一電容器測得 2.5V,則其漣波百分比 (r%)為(A)1%(B)10%(C)9%(D)90%。
52. 在電晶體參數中
其
代表意義為(A)輸入阻抗(B)輸出導納(C)逆向電壓轉換比(D)順向電流轉 換比。
53. 在共射極電路中,其電晶體的 β 值相當於那一參數(A)h ie (B)h fe (C)h re (D)h ce 。
54. 下列何者具有最大的輸入阻抗(A)JFET(B)MOSFET(C)射極隨耦器(D)達靈頓放大器。
55. 一個三級放大電路,各級電壓增益分別為 10、20、30 則電壓增益為(A)60(B)1200(C)6000(D)12000。
56. 功率電晶體的集極與外殼通常接在一起,其最主要目的是(A)美觀(B)製作方便(C)容易辨認(D)散熱較好。
57. 下列何者具有高增益、高輸入阻抗及偏移量小的特性(A)差動放大器(B)達靈頓放大器(C)低頻放大器(D)高頻放大 器。
58. 橋式整流電路中的二極體 PIV 值為峰值電壓的(A)0.5 倍(B)1 倍(C)2 倍(D)4 倍。
59. 一直流電源供應器,無載時輸出電壓為 30V,滿載時輸出電壓為 25V,則電壓調整率為(A)16.6%(B)20%(C)60% (D)83.3%。
60. 在射極放大器上所使用的射極傍路電容器,其作用是(A)提高電壓增益(B)濾去電源漣波(C)防止短路(D)提高耐電 壓。
61. 下列何種電子元件不具有負電阻特性(A)單接面電晶體(B)矽控整流器(C)場效電晶體(D)PNPN 二極體。
62. 電阻器的色碼由左向右依次為橙、綠、黃、金,其電阻值為(A)35Ω±5%(B)65kΩ±10%(C)250kΩ±5%(D)350kΩ±5 %。
63. 下列何者為比較器(A)
(B)
(C)
(D)
。
64. 電晶體振盪電路為何類放大器?(A)A 類(B)B 類(C)C 類(D)AB 類。
65. 下圖為一濾波器電路,它是屬於一種(A)高通濾波器(B)低通濾波器(C)帶通濾波器(D)積分器。
66. 石英晶體振盪器的主要優點是(A)頻率穩定(B)容易振盪(C)振幅較大(D)振幅穩定。
67. 把直流電力變成交流電力的裝置為(A)整流器(B)倍壓器(C)濾波器(D)變流器。
68. 理想電壓源其內阻為(A)0(B)無限大(C)隨負載電阻而定(D)隨頻率而定。
69. 下列那種放大電路,在靜態時,仍消耗一些功率(A)A 類(B)B 類(C)C 類(D)AB 類。
70. 二極體串聯使用可增加(A)最大電流(B)最大逆向耐壓(C)交換時間(D)恢復時間。
71. 當電晶體 β=100,若輸入電流 Ib=10μA,Ic=800μA 時,此電晶體工作於(A)截止區(B)飽和區(C)線性工作區 (D)空乏區。
72. 理想橋式整流電路輸出之直流電壓為半波整流電路之(A)2 倍(B) √2倍(C)1/2 倍(D)1/√ 2倍。
73. 電容器 C,其電容抗為(A)C(B)2πfC(C)1/2πfC(D)C/(2πfC)。
74. 矽二極體之切入電壓(VT )在室溫下約為 0.6V,當溫度升高時,VT 將(A)下降(B)上升(C)不變(D)不一定。
75. UJT 的功用為(A)整流(B)放大(C)產生脈波(D)阻抗匹配。
76. RC 串聯電路,若 R=680kΩ,C=0.22μF,則時間常數約為(A)1.5ms(B)15ms(C)150ms(D)0.15ms。
77. 常用來提供 TTL IC 穩定電源的穩壓 IC 為(A)7805(B)7812(C)7815(D)7912。
78. 一個理想的電壓放大器,其輸入阻抗 Ri 與輸出阻抗 Ro 應分別為(A)∞,∞(B)0,∞(C)∞,0(D)0,0。
79. 下列那一個元件是運算放大器﹖(A)μA741(B)2N3569(C)SN7400(D)CD4001。
80. 下列元件何者不可做光感測器﹖(A)光二極體(B)光電晶體(C)光敏電阻(D)發光二極體。
81. 下圖所示,二極體 D 用來作為(A)半波整流(B)保護電晶體(C)防止雜音(D)溫度補償。
82. 電晶體小信號放大,其主要要求為(A)線性放大(B)功率放大(C)頻率響應好(D)電流增益大。
83. 下圖所示,A 點與接地點間之輸入阻抗約等於(A)RB (B)RB+RE (C)RB+RE(1+β) (D)RB+αRE 。
84. 共射極放大器輸入信號與輸出信號各位於何極之間(A)B-C,C-E(B)B-E,C-B(C)B-E,C-E(D)C-B,C-E。
85. 電晶體工作於 CE 放大時,集極對射極電壓應(A)NPN 及 PNP 為正(B)NPN 為正,PNP 為負(C)NPN 及 PNP 為負(D) NPN 為負,PNP 為正。
86. 電晶體截止時 V CE電壓等於(A)0V(B)0.2V(C)0.8V(D)V CC 。
87. 飽和型電晶體開關電路比非飽和型電晶體開關電路速度慢,其主要原因為(A)儲存時間較長(B)延遲時間較長(C) 上昇時間較長(D)下降時間較長。
88. 在各種交連電路中,何種交連之頻率響應最差(A)變壓器交連(B)RC 交連(C)電感交連(D)直接交連。
89. 要使 N 通道增強型 MOSFET 導通其閘極偏壓應為(A)負電壓(B)正電壓(C)正負電壓均可(D)零電壓。
90. 若將共源級放大器之源極旁路電容器移走時(A)電壓增益降低(B)電壓增益增加(C)互導降低(D)互導增加。
91. 下列何者不是達靈頓電路之特點(A)高電壓增益(B)高電流增益(C)高輸入阻抗(D)低輸出阻抗。
92. 有一放大器將 1mV 信號放大至 10V,其電壓增益為(A)20dB(B)40dB(C)60dB(D)80dB。
93. 放大器,其工作點在截止區者為(A)甲乙類放大(B)乙類放大(C)甲類放大(D)丙類放大。
94. 乙類推挽放大作功率放大器時最高效率為(A)61.5%(B)70.5%(C)78.5%(D)85.5%。
95. 一個三級放大電路,各級電壓分別為 10dB、20dB、30dB 則總電壓增益為(A)30dB(B)60dB(C)300dB(D)600dB。
96. 欲使差動放大器趨於理想則需(A)提高 CMRR(B)提高電源電壓(C)降低輸入電壓(D)提高共模增益。
97. 放大器電壓增益為 100,若加上一回授因數 β=0.19 的負回授電路,則回授後電壓增益為(A)5(B)19(C)50(D)100。
98. 運算放大器之 CMRR 值愈大時,則表示(A)共模增益愈大(B)易消除雜訊(C)差動放大器愈差(D)容易產生雜訊。
99. 放大器加上負回授後(A)增益增加(B)頻寬減少(C)改善失真(D)穩定度減低。
100. 何種負回授型態可增加輸出電阻與降低輸入電阻(A)電壓串聯負回授(B)電壓並聯負回授(C)電流並聯負回授(D)電 流串聯負回授。
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