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114年 - 11600 電力電子 甲級 工作項目 05：電子學 51-96（2025/12/08 更新）#134453

科目：技檢◆電力電子-甲級 | 年份：114年 | 選擇題數：46 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：技檢◆電力電子-甲級

選擇題 (46)

51. 如下圖之 MOSFET 電路，若gm=10mA/V，λ =0，則電壓增益為何？ (A)3.3 (B)7.3 (C)11.3 (D)14.3 。
52. 如下圖之放大器，其中 JFET 之gm=5MA/V ，若忽略歐萊效應(Earlyeffect)對 JFET 的影響，電容也皆視為理想元件，則此放大器之小信號電壓增益Av為何？
(A)3/4 (B)5/6 (C)6/7 (D)7/8 。
53. 如下圖之放大器，若忽略歐萊效應(Early effect)對 FET 的影響，假設FET 之gm=10mA/V ，試求此 FET 放大器的電壓增益AV為何？ (A)-200 (B)-100 (C)-20 (D)-10 。
54. 如下圖之電路，其中運算放大器之輸出電流為 2 mA，BJT 之β=99 ，試求電路中的VR及R分別為何值？
(A)VR=8V，R=2.5Ω (B)VR=8V，R=10Ω(C)VR=10V，R=20Ω (D) VR=10V，R=50Ω。
55. 如下圖之史密特觸發器(Schmitt trigger)，其上臨界電壓 Vp，及其遲滯電壓 VH各為何？
(A)Vp= 0.9 V，VH= 1.8 V (B)Vp= 1 V，VH= 2 V (C)Vp=1.8 V，VH= 2.4 V (D)Vp= 9 V，VH= 18 V 。
複選題
56. 單相全波二極體橋式整流濾波電路，下列敘述何者正確？ (A)二極體最大反向偏壓為交流電壓的峰值 (B)所有二極體可同時導通 (C)壓抑通電後第一週期電容充電之瞬間大電流，常串聯熱敏電阻 (D)冷開機時，第一週期之瞬間大電流乃由於濾波電容電壓初值幾乎為零 。
複選題
57. 下圖所示電路，下列敘述何者正確？
(A)電感及電容組合功能為高通濾波(B)電感及電容組合功能為低通濾波 (C)電感及電容組合功能為帶通濾波 (D)波德圖(Bode plot)之轉角頻率（corner frequency）為Hz 。
複選題
58. 下圖所示電路，若 L = 12mH，C = 3mF，下列敘述何者正確？
(A)為一階濾波電路 (B)波德圖(Bode plot)之轉角頻率（corner frequency）為 839Hz(C)以漸近線看，波德圖之增益超過轉角頻率後斜率為-40dB/decade (D)以漸近線看，波德圖之增益低於轉角頻率之斜率為-20dB/decade 。
複選題
59. 下圖所示電路，若 L = 12mH，C = 3mF，負載 R＝10Ω， Vi=4sin(125.6t)V，下列敘述何者正確？ (A)輸出電壓VO峰值約為 4V (B)Vi與VO相位相差 180° (C)輸出電壓VO峰值約為 2V (D) Vi與VO 同相位 。
複選題
60. 下圖所示電路，若 L = 25.4mH，C = 100mF，負載 R＝10Ω，vi =10sin(62800t)V，下列敘述何者正確？
(A)輸出電壓Vo峰值約為 1mV (B)Vi與VO 相位差約 180° (C)波德圖(Bode plot)之轉角頻率（cornerfrequency）為 100Hz (D)Vi與VO同相位 。
複選題
61. 下圖所示電路，若輸入電壓Vi=1V ，R1=10kΩ，R2=10kΩ下列何者正確？
(A)Vo=-10V (B) Vo/Vi=-10(C)Vo/Vi=11 (D)Vo=11V 。
複選題
62. 下圖所示穩壓電路，Vi=100V ，RI=200V，VZ=20V，RL=100Ω若電路欲正常工作，下列敘述何者正確？
(A)齊納二極體功率至少 2W (B)齊納二極體功率至少 4W (C) IZ= 200mA (D) IZ= 400mA 。
複選題
63. BJT 電晶體當開關使用時，下列敘述何者正確？ (A)導通(ON)所需時間主要是對基極與射極間電容充電 (B)截止(OFF)所需時間主要是將基極載子帶出 (C)在基極電阻上並聯電容可以加快速度 (D)截止(OFF)時間約在 0.5秒至 1 秒間 。
複選題
64. 下圖所示穩壓電路，若VZ=6V、Vi=18V、RL=12Ω ，下列敘述何者正確？
(A)Vo≌6V (B)Vo≌12V(C)電晶體消耗約 6W (D)電晶體消耗約 12W 。
複選題
65. 如下圖所示穩壓電路，下列敘述何者正確？
(A)電晶體為開關功能 (B)可以升壓 (C)電晶體如同可變電阻 (D)輸出電壓與輸入電壓差值愈大效率愈差 。
複選題
66. 有關發光二極體，下列敘述何者正確？ (A)PN 接面為負溫度係數，溫度上升電流愈大 (B)不宜直接用電壓源驅動 (C)光通量與電流大小全域範圍均為線性比例 (D)同一型號發光二極體能障電位相同 。
複選題
67. 如下圖所示電阻電路，若每一電阻皆為 1Ω，下列敘述何者正確？
(A)RAC＝0.615Ω (B)RAC＝0.83Ω (C)RAB＝0.583Ω (D)RAB＝0.785Ω 。
複選題
68. 有關場效應電晶體(FET)，下列敘述何者正確？ (A)P 通道的電流是由電子流所產生 (B)為電壓控制元件 (C)具有正電阻溫度係數 (D)常用於製作大型積體電路 。
複選題
69. 有關金氧半場效應電晶體(MOSFET)，下列敘述何者正確？ (A)閘極與源極間的直流電阻接近無窮大 (B)增強型 P 通道與空乏型 N 通道特性完全相同 (C)閘極與通道間一般是隔一層二氧化矽 (D)與增強型比較空乏型在製造上多了離子佈層手續 。
複選題
70. 下圖所示電路，若R=100kΩ，C=10μF、Vi=2sin(t)V下列敘述何者正確？
(A)微分電路 (B)積分電路 (C)穩態時Vo=-2cos(t)V (D)穩態時Vo=2cos(t)V。
複選題
71. 有關加負回授之放大器，下列敘述何者正確？ (A)能提高放大器的頻寬 (B)可提高電路穩定度 (C)可以改變輸入阻抗及輸出阻抗 (D)能增加放大器的電壓增益 。
複選題
72. 下列哪些元素為 N 型半導體常用的摻雜元素？ (A)鎵(Ga) (B)磷(P) (C)砷(As) (D)硼( B ) 。
複選題
73. 下列有關矽元素之敘述，何者正確？ (A)矽的原子序是 14，其原子核有14 個質子 (B)其能階層 1(最內層)有 4 個電子 (C)其能階層 2(第二層)有 8個電子 (D)在室溫下，純矽晶體是絕緣體 。
複選題
74. 有關單相半波整流器串聯純電阻性負載時，下列敘述何者正確？ (A)輸出電壓的漣波頻率即為電源頻率 (B)二極體的峰值反向電壓即為電源的峰值電壓 (C)其輸出電壓平均值約為電源峰值電壓的 0.318 倍 (D)其輸出電壓的漣波因數約為 48.3% 。
複選題
75. 下圖所示電路， VS=Vmsin(ωt)V，則下列敘述何者正確？
(A)V13=Vm (B)V24=Vm(C)V26=Vm (D)V15=Vm 。
複選題
76. 下列有關互阻放大器的敘述，何者正確？ (A)輸入訊號為電流源 (B)輸出訊號為電壓源 (C)低的輸入阻抗 (D)高的輸出阻抗 。
複選題
77. 下圖所示電路，若二極體的順向壓降為 0.7V，則下列敘述何者正確？ (A)Vab=10V(B) Vab=-0.7V(C)Iab=0mA (D) Iab=-0.43mA。
複選題
78. 下列有關 NPN 雙極性接面電晶體（BJT）的敘述，何者正確？ (A)其有三個端點，即射極（E）、基極( B )、源極(S) (B)於主動區時，其基射接面是順向偏壓 (C)其為電流控制元件 (D)其於飽和區時可被當作開關來使用 。
複選題
79. 下列有關 N 通道 MOSFET 之敘述，何者正確？
(A)其簡化的電路符號如下圖所示 (B)其工作於飽和區時閘極對源極電壓為正 (C)其為電壓控制元件(D)其工作於飽和區時汲極對源極電壓為負 。
複選題
80. 下圖所示電路中，運算放大器為理想特性，下列敘述何者正確？
(A)直流增益為 0.5 (B)直流增益為-2 (C)-3dB 頻率為 500 rad/s (D)-3dB 頻率為 1000rad/s 。
複選題
81. 下圖所示電路，且運算放大器及二極體為理想元件，下列敘述何者正確？
(A)當 Vi= 2V 時， Vo= -5V (B)當Vi = 4V 時， Vo= 0V (C)當Vi = -2V時，Vo = 0V (D)當 Vi= -4V 時， Vo= -10V 。
複選題
82. 下圖所示之運算放大器，其輸入電壓 V1=1.2mv，V2=1.0mv，其共模互斥比 CMRR ＝100dB，差動電壓增益Ad等於輸出電壓增益Ao為 2×105 ，下列敘述何者正確？
(A)其差動電壓Vd=0.2mv (B)其共模電壓Vc=1.1mv(C)其共模增益Ac=±4 (D)其輸出電壓Vo=40± 0.022V。
複選題
83. 下圖所示之 BJT 電路，其直流電流增益 βf＝100，導通之 VBE= 0.7V，飽和之 VCE= 0.2V，則下列敘述何者正確？
(A)當 VBB= 4V 時，電流 IC=3.3mA (B)當 VBB= 4V 時，電壓 VCE= 1.8V (C)當 VBB= 6V 時，電流 IC=5.3mA (D)當 VBB= 6V 時，電壓 VCE= 0.2V 。
複選題
84. 某 NPN 電晶體 25°C 時最大的功率消耗 PD(max)= 1.2W，其衰減因數是8mW/°C，則下列敘述何者正確？ (A)當溫度 75°C 時最大的功率消耗PD(max)= 0.8W (B)當溫度 75°C 時最大的功率消耗 PD(max)= 1.6W (C)當溫度 55°C，VCE= 6V 時，其最大集極電流 IC= 160mA (D)當溫度 45°C，VCE= 5V 時，其最大集極電流 IC= 272mA 。
複選題
85. 有一負回授閉路放大器之開路增益為，其回授衰減因素β＝ 0.9，則下列敘述何者正確？ (A)其開路低頻增益為 400 (B)其閉路低頻增益約為-1.25 (C)其閉路低頻增益約為 1.108 (D)其閉路頻寬為43.32kHz 。
複選題
86. 下圖所示之運算放大器，其規格表中 Zin= 1.8MΩ，Zout= 100Ω，開路增益 Aoi= 20000，則下列敘述何者正確？
(A)其輸入阻抗約為 9GΩ (B)其輸出阻抗約為 0.02Ω (C)其閉路增益為 4 (D)其回授衰減因素β約為0.33 。
複選題
87. 下列關於設計 BJT 放大器時所加之適當偏壓電路，其作用何者正確？ (A)阻擋直流成份 (B)輸入信號之附加直流準位 (C)為求適當之工作點 (D)防止信號被整流 。
複選題
88. 在 BJT 放大器的 CB、CE 和 CC 組態中，CC 組態具下列那些特性？ (A)最低電流增益 Ai(B)最高輸出電阻 Ro(C)最低電壓增益 Av(D)最高輸入電阻Ri。
複選題
89. 下列關於 BJT 與 MOSFET 的敘述，何者為正確？ (A)BJT 之轉導(transconductance,gm)隨偏流增加而線性上升 (B)MOSFET 之轉導 gm隨偏流增加而上升 (C)BJT 之轉導 gm隨 VBE增加而呈指數上升 (D)MOSFET 之轉導 gm隨 VGS增加而直線上升 。
複選題
90. 下列關於史密特觸發器(Schmitt trigger)的敘述何者正確？ (A)屬於一種比較器 (B)可消除雜訊干擾 (C)利用負回授技術 (D)具有 2 個臨界值 。
複選題
91. 有關場效電晶體(FET)之敘述，何者有誤？ (A)場效電晶體(FET)只有多數載子移動 (B)輸入阻抗極低 (C)場效電晶體(FET)適合用在積體電路設計 (D)場效電晶體(FET)屬於電流控制元件 。
複選題
92. 如下圖電路中，若運算放大器為理想特性，下列敘述何者正確？
(A)此電路為非穩態多諧振盪器 (B) Vo波形為三角波 (C) Vo的頻率可由電阻或電容調整 (D)此電路包含比較器與積分器 。
複選題
93. 以電阻 R、電容 C 及運算放大器組成一個雙穩態多諧振盪器，下列敘述何者正確？ (A)運算放大器之輸出電壓為方波 (B)電容 C 上的電壓近似三角波 (C)輸出電壓有 2 種位準 (D)輸出電壓與輸入訊號振幅有關 。
複選題
94. 某運算放大器之輸出電壓在 1 s 內最快變動了 1 V，下列何者正確？ (A)轉動率(slew rate)的單位是 V/s (B)轉動率(slew rate)是用來表示輸出電壓響應速率的參數 (C)此運算放大器之轉動率(slew rate)1 V/s (D)在 SR=1V/s 的運算放大器，能夠輸出 1 Vp -p(峰值對峰值電壓的單位伏特)的信號頻率為 318.4 kHz 。
複選題
95. 共集極(common collector)電路又稱為射極隨耦器，下列敘述何者正確？(A)VE隨基極信號電壓變化 (B)IE隨 IC變化 (C)VE隨集極信號電壓變化 (D)輸出信號隨輸入基極信號電壓變化 。
複選題
96. 欲提高 BJT 差動放大器的 CMRR，則下列方法何者正確？ (A)加大差動對的共用電阻 RE(B)將一 BJT 作為恆流源，加於差動對的 E 極，以獲得高阻值 (C)提高輸入信號 (D)降低差動對的共用電阻 RE。

申論題 (0)