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96年 - 96 台灣電力公司_養成班及用人當地化甄試：電子學#24550
科目：
台電◆電子學 |
年份：
96年 |
選擇題數：
50 |
申論題數：
0
試卷資訊
所屬科目：
台電◆電子學
選擇題 (50)
1.矽半導體的材料能隙（Eg)及阻抗值是隨溫度上升而作何種變化？ (A)能隙變大，阻抗值變小 (B)能隙與阻抗值均變小 (C)能隙與阻抗值均變大 (D)能隙變小，阻抗值變大
2.將硼元素摻雜進純矽晶體中，則成為何種型式的半導體？ (A) P 型 (B) N 型 (C) I 型 (D) J 型
3.整個P型半導體是呈現？ (A)負電性 (B)正電性 (C)電中性 (D)視雜質原子序而定
4.半導體因溫度的關係造成共價鍵破壞，此時半導體會產生？ (A)僅有自由電子 (B)僅有電洞 (C)自由電子及電洞 (D)正負離子
5.如【圖1】電路，假設二極體為理想二極體，求V
0
= ?
(A)3V (B)6 V (C)9 V (D) 12 V
6.—個全波整流器其輸入弦波頻率為fs，整流後輸出信號的週期為： (A)4/fs (B)2/fs (C)l/fs (D)l/(2fs)
7.—個直流電壓源，電壓為24V，内阻為2Ω ，滿載提供的電流為2A，此電源的電壓調整率為： (A) 10 % (B) 15 % (C) 20 % (D) 25 %
8. BJT電晶體的結構中，其「摻雜濃度最高」及「寬度最薄」的部份分別為： (A)射極；基極 (B)集極；射極 (C)集極；基極(D)射極；集極
9.下列有關BJT電晶體的敘述，何者錯誤？ (A) PNP電晶體的少數載子為電子 (B)NPN電晶體的少數載子為電洞 (C) PNP電晶體的頻率響應特性優於NPN電晶體 (D)兩個接面偏壓（BE, BC )不可隨意調換
10.欲使BIT電晶體能具線性放大的功用，則B-E接面及B-C接面應分別作何種偏壓？ (A)B-E接面順向偏壓’ B-C接面逆向偏壓 (B)B-E接面逆向偏壓’ B-C接面逆向偏壓 (C)B-E接面逆向偏壓，B-C接面順向偏壓 (D)B-E接面順向偏壓，B-C接面順向偏壓
11•下列有關BJT電晶體三種組態：共基極(CB)、共射極(CE)、共集極(CC)的特性，何者錯誤？ (A) CB的電壓增益最大 (B) CE的功率增益最大 (C) CC的輸入阻抗最高 (D) CB的輸出阻抗最低
12. 一個共射極組態的BJT電晶體於飽和區工作時，會滿足下列何種條件? (A)
(B)
(C)V
CE
= 0 (D) I
c
=0
13•當BJT電晶體進入飽和區時，此時集極與射極間的電壓 | V
CE
|約為多少V? (A) 1,2 (B)3 (C)4 (D) 0.2
14, BJT電晶體元件中主要載子的流動方向為： (A)由基極流向集極 (B)由射極流向集極 (C)由基極流向射極 (D)由集極流向射極
15,，假設原來的工作點為Q點，當Re電阻值變小 時，其新的工作點應近似於【圖2-2】中的那一點？ (A) A 點 (B) B 點 (C) C 點 (D) D 點
16,承上題’當 V
cc
= 15.7 V ’ R
B
= 150 kΩ， R
c
= 1 kΩ, V
BE
= d7 V ’ β=100，求 Vc = ?
(A) 2.7 V (B) 0.3 V (C)5.7V (D) 15.7 V
17•承15題【圖24】，若在射極與地之間串接一電阻R
e
，其作用為： (A)增加直流偏壓工作點的穩定度 (B)提高小信號的電流增益 (C)降低輸出電阻 (D)提高小信號放大的電壓增益
18’若V
e
=—0.7 ’β = 92，求I
c
= ? (A) 0.23 mA (B) 0.46 mA (C) 0.92 mA (D) 1.00 mA
19.承上題，求V
CE
= ? (A) 5.4 V (B)6.1 V (C) 7.0 V (D)8.2V
20如【圖4】電路.若V
BE
= V
D1
=V
D2
= 0.7V，不考慮二極體内阻，求V
E
= ?
(A) -0.6 V (B) -0.7 V (C) -2.0 V (D) -2.2 V
21•如【圖5】電路’若BJT電晶體特性相同，β=100，V
BE
= 0.7 V，則I= ?
(A) 1.5 mA (B) 2.5 mA (C) 3.5 mA (D) 4.5 mA
22•如【圖6】電路，若BJT電晶體特性相同，h
fe
= 99，h
ie
=lkΩ ’當（h
oe
x h
fe
x R
E
) ≦ 0.1，其 輸入阻抗Z
i
約為多少MΩ?
(A) 2.5 (B)3.5 (C) 4.5 (D) 5.5
23.— 個三級的串級放大電路，已知 A
v1
= —50，A
V2
= —20，A
v3
= 一 10，且 A
il
—=10，A
i2
= —10 ，A
i3
= 10，則此串級電路的總功率增益為： (A) 10
4
(B) 10
5
(C) 10
6
(D) 10
7
24. A類、AB類、B類及C類等四種功率放大器，依失真度「由大到小」的排列為： (A) C、B、AB、A (B) A、B、AB、C (C) C、AB、B、A (D) A、AB、B、C .
25.某電路的輸入為4sin(20t) + 9sin(45t)，而輸出為8cos(20t) + 18cos(45t)，則此電路有何失真？ (A)振幅失真 (B)頻率失真 (C)諧波失真 (D)相位失真
26.下列有關串級放大器的耦合方式敛述，何者錯誤？ (A)電阻7電容耦合結構較簡單，但功率損失較大(B)變壓器耦合之阻抗匹配容易，但成本較高 (C)直接耦合之低頻響應最佳且穩定性最好 (D)直接耦合可減少交連電路的損失
27.在RC耦合電路中，C值必須選擇非常大，其原因是： (A)產生穩定偏壓 (B)防止低頻衰減 （C)防止高頻衰減 (D)使直流順利通過
28.若以下列元件來設計隨耦器電路，試問何者的輸入阻抗最高？ (A)JFET (B)BJT (C)達靈頓電晶體 (D)MOSFET
29.下列有關電晶體的敘述，何者錯誤？ (A) FET為單極性，BJT為雙極性 (B) FET為電流控制，BJT為電壓控制 (C) FET的交換速度較BJT慢 (D) FET為負溫度係數的元件
30•如[圖 7】JFET 電路，若 IDSS = 8 mA， 夾止電壓V
P
=—8 V，求I
D
= ?
(A) 1 mA (B) 2 mA (C) 3 mA (D) 10 mA
31. N通道增強型MOSFET的閘極與源極間之電壓VGS在下列 何種情況下才能使汲極電流Id導通? (VT為臨界電壓）
(A) V
GS
> 0，V
GS<
Vt
T
(B)V
GS
< 0，V
GS>
Vt
T
(C)V
GS
< 0，V
GS<
Vt
T
(D)V
GS
> 0，V
GS
>Vt
T
32.下列對互補式金氧半電晶體（CMOS)的敘述，何者錯誤？ (A)工作電壓約為3〜15 V (B)扇出（Fan-out)數可超過50 (C)傳輸延遲時間比TTL的短 (D)靜態消耗功率比TTL的小
33.下列電路，何者為運算放大器主要的輸入結構？ (A)光耦合電路 (B)RC耦合電路 (C)達靈頓電路 (D)差動電路
34.下列有關理想運算放大器的敘述，何者錯誤？ (A)輸入阻抗無窮大 (B)輸出阻抗為零 （C)開路增益為零 (D)可做加減法器
35. —運算放大器的迴轉率（SlewRate) SR = 3.14 V/μ s，若欲獲得輸出電壓峰對峰值為10V
PP
， 試問在不允許失真下，輸入正弦波的最高允許頻率為多少kHz? (A) 400 (B) 200 (C) 50 (D) 100
36.用運算放大器組成的非反相放大器，是屬於下列何種負回授？ (A)電壓串聯 (B)電壓並聯 (C)電流串聯 (D)電流並聯
37•欲提高差動放大器的共模拒斥比CMRR，射極的直流阻抗（RE)及交流阻抗（re)應如何選擇？ (A)兩者皆採用低阻抗 (B)兩者皆採用高阻抗 (C) RE採用高阻抗， re採用低阻抗 (D) RE採用低阻抗，re採用高阻抗
38.—個差動放大器的差模增益A
d
= 100，共模增益A
c
= 0.01，則其共模拒斥比CMRR= ? (A) — 80 dB (B) 一 40 dB (C) 80 dB (D) 40 dB
39.—般頻率計數器將待測信號輸入後，可由下列何種電路轉換為脈波後，來控制計數器的計數？ (A)積分電路 (B)微分電路 (C)箝位電路 (D)樞密特觸發電路
40.欲使輸出電壓穩壓在一5 V (負5V)，應選擇下列何者1C? (A) 7402 (B) 7805 (C) 7905 (D) LM 340-05
41•如【圖8】電路，A為理想運算放大器，V
i
為三角波，則V
o
為：
(A)方波 (B)三角波 (C)脈衝波 (D)弦波
42,若Vi> 0，則Vo = ? (A) — (V
Z2
+ V
D
) (B) V
ZI
+ V
D
(C)V
Z2
+ V
D
(D) —( V
ZI
+ V
D
)
43•承上題，若V
i
< 0，則V0 = ?
(A) -(V
Z2
+ V
D
) (B) V
ZI
+ V
D
(C) V
Z2
+ V
D
(D) — (V
Z1
+ V
D
)
44•如【圖10】電路，A為理想運算放大器，此電路的功能為：
(A)全波整流器 (B)半波整流器 (C)微分器 (D)峰值檢波器
45.如【圖11】電路，A1及A2為理想運算放大器，R
1
=R
2
=R
3
=2KΩ，其電路增益V
o
/V
i
?
(A) 2 (B)3 (C)4 (D)6
46.如【圖12】電路，A為理想運算放大器，則V
0
= ?
(A) -15 V (B) -10 V (C) -5 Y (D)4V
47.若V
Z
= 6 V，V
CC
= 10 V， R
1
= R
f
= 1 kΩ ，R
2
= 3 kΩ，求 I
f
= ? (A) 1 mA (B) 2 mA (C) 3 mA (D) 4 mA
48.承上題，欲使該電路成為一個與Rf無關的定電流源，則須滿足下列何種條件？
(A) V
CC
x R
1
/ (R
1
+ R
2
) > V
Z
(B) V
CC
x R
2
/ (R
1
+ R
2
)〈 V
Z
(C) V
CC
x R
1
/ (R1 + R
2
) < V
Z
(D) V
CC
x R
2
/ (R
1
+ R
2
)〉V
Z
49.一個理想電壓調整器的輸出阻抗應為： (A)零 (B)無限大 (C)等於負載電阻 (D)中等大小即可
50.傳統式穩壓電路與交換式穩壓電路，此兩電路中的電晶體分別作何種用途？ (A)皆為開關使用 (B)前者為開關，後者為放大 (C)前者為放大，後者為開關 (D)皆為放大使用
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(A)3V (B)6 V
(C)9 V (D) 12 V
(B)
(C)VCE = 0 (D) Ic=0
(A) -0.6 V (B) -0.7 V (C) -2.0 V (D) -2.2 V 
(A) 1.5 mA (B) 2.5 mA (C) 3.5 mA (D) 4.5 mA
(A) 2.5 (B)3.5 (C) 4.5 (D) 5.5
(A) 1 mA (B) 2 mA
(C) 3 mA (D) 10 mA
(A)方波 (B)三角波 (C)脈衝波 (D)弦波
(A)全波整流器 (B)半波整流器 (C)微分器 (D)峰值檢波器
(A) 2 (B)3 (C)4 (D)6
(A) -15 V (B) -10 V (C) -5 Y (D)4V