阿摩線上測驗
登入
首頁
>
台電◆電子學
>
106年 - 106 台灣電力公司_新進僱用人員甄試:電子學#63883
> 試題詳解
試題詳解
試卷:
106年 - 106 台灣電力公司_新進僱用人員甄試:電子學#63883 |
科目:
台電◆電子學
試卷資訊
試卷名稱:
106年 - 106 台灣電力公司_新進僱用人員甄試:電子學#63883
年份:
106年
科目:
台電◆電子學
22. 有一個P通道增強型MOSFET,其臨界電壓V
T
= -2 V,假設其閘極(gate)接地而源極(source)接 至+5 V,欲使此元件操作在飽和區(saturation region),則汲極(drain)之最高電壓為何?
(A) 7 V
(B) 5 V
(C) 3 V
(D) 2 V
正確答案:
登入後查看
詳解 (共 1 筆)
中華電已上榜
B1 · 2017/08/01
推薦的詳解#2370342
未解鎖
VDS<=VGS-VTVD-5&l...
(共 41 字,隱藏中)
前往觀看
10
0
私人筆記 (共 2 筆)
有緣人
2020/11/12
私人筆記#2635181
未解鎖
眼瞎,題目沒看清楚...
(共 12 字,隱藏中)
前往觀看
1
0
Alice
2025/12/14
私人筆記#7638448
未解鎖
(共 0 字,隱藏中)
前往觀看
1
0