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試題詳解

試卷:98年 - 98 國家安全情報特種考試_五等_電子組:電子學大意#38822 | 科目:初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷資訊

試卷名稱:98年 - 98 國家安全情報特種考試_五等_電子組:電子學大意#38822

年份:98年

科目:初等/五等/佐級◆電子學大意

24 有一個P通道增強型MOSFET,其臨限電壓Vt=-2 V,假使其閘極(gate)接地且源極(source)接至 +5 V,欲使此元件正好進入飽和區(saturation region),則汲極(drain)之電壓為何?
(A) 7 V
(B) 5 V
(C) 3 V
(D) 2 V
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未解鎖
P 增強型飽和區條件 VT > V...
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