24 有一個P通道增強型MOSFET，其臨限電壓V_t＝-2 V，假使其閘極（gate）接地且源極（source）接至＋5 V，欲使此元件正好進入飽和區（saturation region），則汲極（drain）之電壓為何？
(A) 7 V
(B) 5 V
(C) 3 V
(D) 2 V

P 增強型飽和區條件 VT > V...