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初等/五等/佐級◆電子學大意
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98年 - 98 國家安全情報特種考試_五等_電子組:電子學大意#38822
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試題詳解
試卷:
98年 - 98 國家安全情報特種考試_五等_電子組:電子學大意#38822 |
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
試卷資訊
試卷名稱:
98年 - 98 國家安全情報特種考試_五等_電子組:電子學大意#38822
年份:
98年
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
24 有一個P通道增強型MOSFET,其臨限電壓V
t
=-2 V,假使其閘極(gate)接地且源極(source)接至 +5 V,欲使此元件正好進入飽和區(saturation region),則汲極(drain)之電壓為何?
(A) 7 V
(B) 5 V
(C) 3 V
(D) 2 V
正確答案:
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詳解 (共 1 筆)
Rascal
B1 · 2017/05/08
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