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初等/五等/佐級◆電子學大意
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98年 - 98 國家安全情報特種考試_五等_電子組：電子學大意#38822
科目：
初等/五等/佐級◆電子學大意 |
年份：
98年 |
選擇題數：
40 |
申論題數：
0
試卷資訊
所屬科目：
初等/五等/佐級◆電子學大意
選擇題 (40)
1 開關二極體的電壓由順向＋5 V切換到逆向-5 V時，流經二極體的電流如圖所示，其中t
s
的大小與二 極體的那項因素最為密切？ (A)接面電容 (B)內部電阻 (C)少數載子生命期 (D)多數載子移動率
2 如圖所示，利用電晶體、二極體及電阻組成之數位正邏輯電路為何種邏輯閘？
(A) AND 閘 (B) NAND 閘 (C) OR 閘 (D) NOR 閘
3.16Mwords（字組）×4 bits（位元）的記憶體需要多少的位址（Address）線： (A) 64 (B) 39 (C) 24 (D) 16
4 圖中無穩態多諧振盪器（Astable Multivibrator），假設R
1
＝R
2
，輸出電壓為±5 V。則振盪週期為：
(A) 2 RC ln3
(B) 2 RC ln2
(C) RC ln3
(D) RC ln2
5 圖為含主動負載的差分對（Differential Pair with Active Load）。其中C
m
為Q
3
、Q
4
的寄生電容。設Q
3
的 跨導（Transconductance）為g
m3
。則Cm對此電路電壓增益的頻率響應的影響為：
(A)只產生位於g
m3
/C
m
的極點（Pole）
(B)產生位於g
m3
/C
m
的極點（Pole）和位於 2g
m3
/C
m
的零點（Zero）
(C)產生位於g
m3
/C
m
的極點（Pole）和位於g
m3
/2C
m
的零點（Zero）
(D)只產生位於 2g
m3
/C
m
的零點（Zero）
6 如圖所示運算放大器電路，若輸入電壓為V
1
＝1 V、V
2
＝2 V、V
3
＝4 V、及V
4
＝1 V，試求其輸出電 壓Vo應為多少？
(A) -4 V (B)-15 V (C) 4 V (D) 15 V
7 圖為含主動負載的差分對（Differential Pair with Active Load），輸入電壓為V
1
－V
2
。其中I＝1 mA，並 且電晶體都具有相同的參數，β＝100。此電路有一系統性偏移電壓（Offset Voltage），此偏移電壓 約為
(A) 0.5 mV (B) 0.25 mV (C)-0.25 mV (D)-0.5 mV
8 如圖所示之雙極性接面電晶體（BJT）放大器，已知電晶體參數α(＝I
c
/I
e
)為 0.98，以及電晶體集極到 基極的交流輸出阻抗r
o
為 1 MΩ，則此放大器的電壓增益A
V
(＝V
o
/V
i
)約為多少？
(A) 100 (B) 200 (C) 300 (D) 400
9 如圖示之電路，已知N通道JFET之I
DSS
＝4 mA，V
GS(off)
＝-4 V，若要使此電晶體工作於夾止區，且I
D
＝ 1 mA，求電阻R
S
及電壓V
DS
為多少？
(A)R
S
＝1 kΩ與V
DS
＝3 V
(B)R
S
＝2 kΩ與V
DS
＝10 V
(C)R
S
＝3 kΩ與V
DS
＝3 V
(D)R
S
＝4 kΩ與V
DS
＝10 V
10 圖中電晶體工作在主動區，B與E間內電阻為r
π
，C與E間內電阻為r
o
，輸入阻抗Z
i
及輸出阻抗Z
o
為何？
(A)Z
i
＝R
B
＋r
π
，Z
o
＝R
C
(B)Z
i
＝(R
B
//r
π
)，Z
o
＝R
C
(C)Z
i
＝(R
B
//r
π
)，Z
o
＝(R
C
//r
o
)
(D)Z
i
＝R
B
＋r
π
，Z
o
＝R
C
+r
o
11 有一CMOS反相器，其負載電容C
L
＝2 pF，V
DD
＝5 V，工作頻率 1 MHz，它在交換狀態（Switching）時 ： (A)不消耗功率 (B)消耗約 5 µW (C)消耗約 25 µW (D)消耗約 50 µW
12 動態隨機存取記憶體（DRAM），是將資料存在何種元件上？ (A)二極體 (B) OPA（運算放大器） (C)電容器 (D) BJT（雙極接面電晶體）
13 電路中G
1
與G
2
為反相器，則圖示數位電路為：
(A) SR 正反器（Flip Flop）
(B)反相器（Inverter）
(C)傳輸閘（Transmission Gate）
(D)閂鎖器（Latch）
14 關於圖中之動態邏輯電路，若 CK 為高準位時其輸出值正確，本電路輸出信號（Y）之布林函數為何？
15 圖為含理想放大器之開關電容式（Switched Capacitor）濾波器，若Φ
1
、Φ
2
的頻率為 100 kHz， C
1
＝10 pF，濾波器的時間常數為 100 µs，則C
2
的值為：
(A) 1 nF C2 (B) 100 pF + Vin - Φ1 Φ2 C1 (C) 10 pF (D) 1 pF
16 下列何者非為方波產生器電路？
17 關於圖中電路，下列敘述何者正確？
(A)此為低通濾波器 (B)此為高通濾波器 (C)此為帶通濾波器 (D)此為帶拒濾波器
18 圖中電路，g
m
R
L
>>1，其單位增益頻率（Unit Gain Frequency）約為：
(A)(2πRC)
-1
(B)(2πgmR
L
RC)
-1
(C)gmR
L
/(2πRC)
(D)gm/(2πC)
19 如圖中電路，若運算放大器為理想，則V
o
值為何？
(A)-6 V (B)-3 V (C) 4 V (D) 6 V
20 圖為二級CMOS運算放大器。若電晶體都有相同的爾利電壓（Early Voltage，VA）為 100 V；且都設計在 相同的驅使電壓（Overdrive Voltage, VGS-VTH）為 0.2 V。此電路電壓增益A
d
＝V
O
/(V
2
-V
1
)約為：
(A) 4×10
6
(B) 10
6
(C) 2.5×10
5
(D) 10
5
21 圖示理想運算放大器電路，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為 ±12 V，輸入電壓v
I
為 1 V，則v
O
為 若干V？
(A)-12 (B) 0 (C) 1 (D)＋12
22 如圖所示之雙極性接面電晶體（BJT）放大器，已知電晶體參數β(＝I
c/
I
b
)為 210，以及電晶體集極到 射極的交流輸出阻抗r
o
為 50 kΩ，若是將電容器CE移除，則此放大器的電壓增益A
V
(＝V
o
/V
i
)將如何變 化？
(A)增加 (B)不變 (C)減少 (D)降為零
23 下圖 MOSFET 為 N 通道增強型，此電路工作功能為：
(A) OR 閘 (B) NOR 閘 (C) AND 閘 (D) NAND 閘
24 有一個P通道增強型MOSFET，其臨限電壓V
t
＝-2 V，假使其閘極（gate）接地且源極（source）接至 ＋5 V，欲使此元件正好進入飽和區（saturation region），則汲極（drain）之電壓為何？ (A) 7 V (B) 5 V (C) 3 V (D) 2 V
25 某差動放大器的共模增益A
CM
，差模增益A
dm
，下列何者有較佳的共模拒斥比（Common Mode Rejection Ratio）？
(A)A
CM
＝0.1、A
dm
＝100 (B)A
CM
＝0.1、A
dm
＝1000 (C)A
CM
＝1、A
dm
＝100 (D)A
CM
＝1、A
dm
＝1000
26 下圖電路中，二極體之作用為：
(A)保護電晶體 (B)防止雜訊 (C)防止電流逆流 (D)溫度補償
27 如圖所示之電路，當V
i
＝20 V時，V
o
約多少伏特？
(A) 20 (B) 15 (C) 12 (D) 10
28 有關 ROM（Read Only Memory）的敘述，何者有誤？ (A)為非揮發性記憶體 (B)可讀出及寫入資料 (C)只能讀出資料，無法寫入 (D)當電源關閉時，存在其中之資料不會消失
29 圖中邏輯電路輸出信號（Y）之布林函數為何？
30 圖中電路在中頻工作，r
d
為電晶體小訊號汲極端內阻，其中R、C（包含C
1
與C
2
）元件功能為：
(A)C減低漣波，r
d
、R
s
與A
v
放大率無關
(B)C阻斷直流分量，A
v
約接近 1
(C)C阻斷直流分量，A
v
與r
d
成反比
(D)C減低漣波，A
v
與R
s
成正比
31 圖(a)為一個半波整形電路，圖(b)為其轉移曲線。若運算放大器為理想，二極體D之導通電壓為 0.7 V，則 圖(b)V
o
/ V
i
的斜率約為何？
32 關於系統轉移函數
之敘述，下列何者正確？ (A)低頻-3 dB頻率在 10 rad/sec (B)低頻-3 dB頻率在 10
2
rad/sec (C)高頻-3 dB頻率在 10
3
rad/sec (D)低頻-3 dB頻率在 10
3
rad/sec
33 如圖所示的電路，電晶體在飽和區工作，其中V
CE,sat
＝0.2 V，V
i
＝5 V，β＝125，則飽和電流I
CE,sat
為 ：
(A) 7.9 mA (B) 6 mA (C) 0.6 mA (D) 0 mA
34 由電阻R
1
、R
2
、R
f
和理想運算放大器組成的加權加法器（Weighted Summer），如圖所示。其中R
1
＝9 kΩ，R
2
＝3 kΩ，R
f
＝9 kΩ。若V
O
＝-3 V，V
1
＝3 V，則V
2
為多少？
(A) 2 V (B) 1 V (C)-1 V (D)-2 V (E)0V
35 下圖二極體邏輯電路，其功能為：
(A)及閘（AND gate） (B)或閘（OR gate） (C)非及閘（NAND gate） (D)非或閘（NOR gate）
36 圖中電路之輸入阻抗R
I
為：
(A)R
E
(B)(1+β)R
E
(C)r
π
＋(1+β)R
E
(D) 2r
π
＋(1+β)R
E
37 一個N通道空乏型MOSFET，V
GS(off)
＝-4 V，I
DSS
＝8 mA，則當V
GS
＝0 V時，I
D
為： (A) 16 mA (B) 8 mA (C) 4 mA (D) 2 mA
38 下列何者是發光二極體（LED, Light Emitting Diode）的符號？
39 二極體的起始電壓（Cut-in Voltage）會隨著溫度增高而： (A)增大 (B)不變 (C)減少 (D)先增大後減少
40 下圖達靈頓（Darlington）電晶體電路中，β
1
及β
2
分別代表Q
1
及Q
2
電晶體的電流增益參數，則達靈頓 電晶體的電流增益β
D
約為何？
(A)β
D
＝(β
1
β
2
) / (β
1
＋β
2
)
(B)β
D
＝β
1
＋β
2
(C)β
D
＝β
1
β
2
(D)β
D
＝β
1
/ β
2
申論題 (0)
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(A) AND 閘 (B) NAND 閘 (C) OR 閘 (D) NOR 閘
(A) -4 V (B)-15 V (C) 4 V (D) 15 V 
(A) 0.5 mV (B) 0.25 mV (C)-0.25 mV (D)-0.5 mV 
(A) 100 (B) 200 (C) 300 (D) 400
(A) 1 nF C2 (B) 100 pF + Vin - Φ1 Φ2 C1 (C) 10 pF (D) 1 pF 
(A)此為低通濾波器 (B)此為高通濾波器 (C)此為帶通濾波器 (D)此為帶拒濾波器 
(A)-6 V (B)-3 V (C) 4 V (D) 6 V
(A)-12 (B) 0 (C) 1 (D)＋12 
(A)增加 (B)不變 (C)減少 (D)降為零
(A)保護電晶體 (B)防止雜訊 (C)防止電流逆流 (D)溫度補償 
(A) 20 (B) 15 (C) 12 (D) 10 
之敘述，下列何者正確？ (A)低頻-3 dB頻率在 10 rad/sec (B)低頻-3 dB頻率在 102 rad/sec (C)高頻-3 dB頻率在 103 rad/sec (D)低頻-3 dB頻率在 103 rad/sec 
(A) 7.9 mA (B) 6 mA (C) 0.6 mA (D) 0 mA 
(A) 2 V (B) 1 V (C)-1 V (D)-2 V (E)0V
(A)及閘（AND gate） (B)或閘（OR gate） (C)非及閘（NAND gate） (D)非或閘（NOR gate） 
