5 圖為含主動負載的差分對(Differential Pair with Active Load)。其中Cm為Q3、Q4的寄生電容。設Q3的 跨導(Transconductance)為gm3。則Cm對此電路電壓增益的頻率響應的影響為:
(A)只產生位於gm3/Cm的極點(Pole)
(B)產生位於gm3/Cm的極點(Pole)和位於 2gm3/Cm的零點(Zero)
(C)產生位於gm3/Cm的極點(Pole)和位於gm3/2Cm的零點(Zero)
(D)只產生位於 2gm3/Cm的零點(Zero)
(A)只產生位於gm3/Cm的極點(Pole)
(B)產生位於gm3/Cm的極點(Pole)和位於 2gm3/Cm的零點(Zero)
(C)產生位於gm3/Cm的極點(Pole)和位於gm3/2Cm的零點(Zero)
(D)只產生位於 2gm3/Cm的零點(Zero)
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統計: A(3), B(11), C(16), D(2), E(0) #1109586
統計: A(3), B(11), C(16), D(2), E(0) #1109586
詳解 (共 1 筆)
#1490695
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