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初等/五等/佐級◆電子學大意
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98年 - 98 國家安全情報特種考試_五等_電子組:電子學大意#38822
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3.16Mwords(字組)×4 bits(位元)的記憶體需要多少的位址(Address)線:
(A) 64
(B) 39
(C) 24
(D) 16
答案:
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統計:
A(8), B(0), C(21), D(7), E(0) #1109584
詳解 (共 1 筆)
yo
B1 · 2019/05/28
#3379646
16M = 2^4 * 2^20
(共 18 字,隱藏中)
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其他試題
39 如下圖所示之共射極(Common Emitter)放大電路,若是已知此電晶體係操作於順向作用區(Forward Active Region),且其厄力電阻(Early Resistance)為ro ,則其由集極(Collector)所看進去之輸出 電阻Ro為何? (A)Ro=RC+ro (B)Ro=RC-ro (C)Ro=RC//ro (D)Ro=RC+RB+ro
#1109580
40 BJT 電晶體共射極組態的電路中,其輸入信號和輸出信號的相位差為何? (A)相同 (B)相差 45 度 (C)相差 90 度 (D)相差 180 度
#1109581
1 開關二極體的電壓由順向+5 V切換到逆向-5 V時,流經二極體的電流如圖所示,其中ts的大小與二 極體的那項因素最為密切? (A)接面電容 (B)內部電阻 (C)少數載子生命期 (D)多數載子移動率
#1109582
2 如圖所示,利用電晶體、二極體及電阻組成之數位正邏輯電路為何種邏輯閘? (A) AND 閘 (B) NAND 閘 (C) OR 閘 (D) NOR 閘
#1109583
4 圖中無穩態多諧振盪器(Astable Multivibrator),假設R1=R2,輸出電壓為±5 V。則振盪週期為: (A) 2 RC ln3(B) 2 RC ln2 (C) RC ln3 (D) RC ln2
#1109585
5 圖為含主動負載的差分對(Differential Pair with Active Load)。其中Cm為Q3、Q4的寄生電容。設Q3的 跨導(Transconductance)為gm3。則Cm對此電路電壓增益的頻率響應的影響為: (A)只產生位於gm3/Cm的極點(Pole) (B)產生位於gm3/Cm的極點(Pole)和位於 2gm3/Cm的零點(Zero) (C)產生位於gm3/Cm的極點(Pole)和位於gm3/2Cm的零點(Zero) (D)只產生位於 2gm3/Cm的零點(Zero)
#1109586
6 如圖所示運算放大器電路,若輸入電壓為V1=1 V、V2=2 V、V3=4 V、及V4=1 V,試求其輸出電 壓Vo應為多少? (A) -4 V (B)-15 V (C) 4 V (D) 15 V
#1109587
7 圖為含主動負載的差分對(Differential Pair with Active Load),輸入電壓為V1-V2。其中I=1 mA,並 且電晶體都具有相同的參數,β=100。此電路有一系統性偏移電壓(Offset Voltage),此偏移電壓 約為 (A) 0.5 mV (B) 0.25 mV (C)-0.25 mV (D)-0.5 mV
#1109588
8 如圖所示之雙極性接面電晶體(BJT)放大器,已知電晶體參數α(=Ic/Ie)為 0.98,以及電晶體集極到 基極的交流輸出阻抗ro為 1 MΩ,則此放大器的電壓增益AV(=Vo/Vi)約為多少? (A) 100 (B) 200 (C) 300 (D) 400
#1109589
9 如圖示之電路,已知N通道JFET之IDSS=4 mA,VGS(off)=-4 V,若要使此電晶體工作於夾止區,且ID= 1 mA,求電阻RS及電壓VDS為多少? (A)RS=1 kΩ與VDS=3 V (B)RS=2 kΩ與VDS=10 V (C)RS=3 kΩ與VDS=3 V (D)RS=4 kΩ與VDS=10 V
#1109590