25. 有關雙極性電晶體(BJT)和場效應電晶體(FET)兩種電晶體的比較,下列何者有誤?
(A)在積體電路製
作上,BJT 較 FET 佔較大的空間
(B)FET 作為放大器產生的雜訊較 BJ T 為低
(C)BJ T 和 FET 都是電壓控制的電流源
(D)BJT 是雙載子元件,而 FET 是單載子元件。
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統計: A(0), B(3), C(5), D(3), E(0) #2127065
統計: A(0), B(3), C(5), D(3), E(0) #2127065
詳解 (共 1 筆)
#4822331
(BJT) V.S (FET)
在積體電路製 作上,BJT 較 FET 佔較大的空間
FET 作為放大器產生的雜訊較 BJ T 為低
BJT 是雙載子元件,而 FET 是單載子元件
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