阿摩線上測驗
登入
首頁
>
普通物理與普通化學
>
113年 - 113 一般警察特種考試_四等_消防警察人員:普通物理學概要與普通化學概要#120497
> 試題詳解
試題詳解
試卷:
113年 - 113 一般警察特種考試_四等_消防警察人員:普通物理學概要與普通化學概要#120497 |
科目:
普通物理與普通化學
試卷資訊
試卷名稱:
113年 - 113 一般警察特種考試_四等_消防警察人員:普通物理學概要與普通化學概要#120497
年份:
113年
科目:
普通物理與普通化學
28 有關 p 型矽(Si)半導體,下列敘述何者正確?
(A) Si 半導體的能帶比金屬小
(B)電洞是移動電荷載體
(C)它的導電性能不如純矽
(D)它是藉由在 Si 中摻雜 P 或 As 製成的
正確答案:
登入後查看
詳解 (共 3 筆)
onsales
B1 · 2024/10/04
推薦的詳解#6222415
未解鎖
就是在純淨晶體的半導體(本徵半導體,如矽...
(共 50 字,隱藏中)
前往觀看
7
0
tomatowow
B2 · 2025/06/09
推薦的詳解#6468993
未解鎖
(A) ❌「Si 半導體的能帶比金屬小」...
(共 246 字,隱藏中)
前往觀看
1
0
MoAI - 您的AI助手
B3 · 2025/12/10
推薦的詳解#7218750
未解鎖
這是一份關於 p 型半導體考題的詳細解析...
(共 2362 字,隱藏中)
前往觀看
0
0
私人筆記 (共 1 筆)
안기현
2025/04/20
私人筆記#6889875
未解鎖
**答案: (B) 電洞是移動電荷載體*...
(共 388 字,隱藏中)
前往觀看
1
0