3. 有關PN接面二極體的敘述，下列何者有誤？
(A)溫度上升時，障壁電壓上升
(B)二極體加順向偏壓後，空乏區變窄
(C)矽二極體的障壁電壓較鍺二極體高
(D)溫度上升時，漏電流上升

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統計： A(128), B(6), C(29), D(21), E(0) #2703798

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#4872979
當溫度每上升1度時，障壁電壓矽:減少2....
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#5182605

PN接面二極體

二極體加順向偏壓後，空乏區變窄
矽二極體的障壁電壓較鍺二極體高
溫度上升時，漏電流上升 

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私人筆記 (共 1 筆)

私人筆記#7516953
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? PN接面二極體的溫度與偏壓行為 ❌...
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