80. 下列何者為絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)功率半導體元件之特性？
(A)驅動電路類似 BJT
(B)導通狀態 類似 MOSFET
(C)電壓控制其導通及截止
(D)高輸入阻抗。

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統計： A(5), B(2), C(9), D(8), E(0) #2127120

詳解 (共 1 筆)

#4822581

絕緣柵雙極電晶體（英語：Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT），是半導體器件的一種，主要用於電動車輛、鐵路機車及動車組的交流電電動機的輸出控制。傳統的BJT導通電阻小，但是驅動電流大，而MOSFET的導通電阻大，卻有著驅動電流小的優點。IGBT正是結合了這兩者的優點：不僅驅動電流小，導通電阻也很低。

絕緣柵雙極電晶體其基本包裝為三個端點的功率級半導體元件，其特點為高效率及切換速度快，為改善功率級BJT運作的工作狀況而誕生。

IGBT結合了場效電晶體閘極易驅動的特性與雙極性電晶體耐高電流與低導通電壓壓降特性，IGBT通常用於中高容量功率場合，如切換式電源供應器、馬達控制與電磁爐。大型的IGBT模組應用於數百安培與六千伏特的電力系統領域，其模組內部包含數個單一IGBT元件與保護電路。

IGBT為近數十年發明產物，第一代IGBT產品於1980年代與1990年初期，但其切換速度不快且開關截止時易產生拴鎖現象與二次崩潰現象，第二代IGBT產品便有很大的進展，第三代IGBT產品為目前主流，其切換速度直逼功率級MOSFET的速度並且在電壓電流容量上有很大的進步。

(WIKI)

絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)功率半導體元件

電壓控制其導通及截止
高輸入阻抗
 

 

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