題組內容

四、已知金屬與 n-型矽接面形成蕭基位障二極體，利用反偏壓下的單位面積電容值 C’變化可以萃取出元件的重要參數。（每小題 10 分，共 20 分）

(一)請說明如何由 C’的量測與分析求得內建電位障（built-in potential barrier）與 n-型矽的摻雜濃度？