題組內容

四、已知金屬與 n-型矽接面形成蕭基位障二極體，利用反偏壓下的單位面積電容值 C’變化可以萃取出元件的重要參數。（每小題 10 分，共 20 分）

(二) a 與 b 兩元件在固定順偏壓下的蕭基位障高度（Schottky barrier height）分別為= 0.5 V 與 = 0.6 V，假設其他參數均相同，1 kT/q = 0.0259 V，兩元件的電流比例=？