申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：110年 - 110 高等考試_二級_電子工程：電子元件#101946
科目：電子元件
年份：110年
排序：0

題組內容

二、矽半導體能帶隙中適當的缺陷（trap）可提供做為電子與電洞對的產生與復合中心（generation-recombination center），已知 p-型矽之，常溫下矽材料之 ni 為。（每小題 10 分，共 20 分）

申論題內容

(二)當電子電洞濃度因外在因素造成濃度增加，使得 n p ＞ ni²，在低位準注入（low level injection）條件下，多數載子假設幾乎不變 p ≈ p0，但少數載子增加，此時該 trap 是扮演淨產生或是淨復合為主的變動角色？在 n₁=9n₀ 時之該機制淨變動速率為 x₁，在 n₂ = 5n0 為 x₂，求 x₁/x₂ =？