阿摩線上測驗
登入
阿摩線上測驗
登入
二、矽半導體能帶隙中適當的缺陷（trap）可提供做為電子與電洞對的產生與復 合中心（generation-recombination center），已知 p-型矽之
， 常溫下矽材料之 ni 為
。（每小題 10 分，共 20 分）
(一)當電子電洞濃度因外在因素被移除，使得 n p ≪ ni2 成立，此時該 trap 是扮演淨產生或是淨復合為主的變動角色？若少數載子之該機制相 關壽命為
，則在該機制下之淨變動速率為何？