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申論題資訊

試卷:110年 - 110 高等考試_二級_電子工程:電子元件#101946
科目:電子元件
年份:110年
排序:0

題組內容

三、PN 二 極 體 在 P 區 與 N 區 的 摻 雜 濃 度 分 別 為 615ac4c1863a7.jpg , 已 知 615ac4cacc268.jpg,常溫下矽之 ni 為615ac4d718083.jpg,1 kT/q = 0.0259 V, 介電常數(dielectric constant)為 11.7,615ac4e330a1f.jpg C。 (每小題 10 分,共 20 分)

申論題內容

(二)當加上反偏壓使得空乏區內最大電場達 3 ✕ 105 V/cm 時,二極體出現累 增崩潰(avalanche breakdown),求崩潰電壓 VB 值約為多少?