三、PN 二 極 體 在 P 區 與 N 區 的 摻 雜 濃 度 分 別 為 , 已 知 ,常溫下矽之 ni 為,1 kT/q = 0.0259 V, 介電常數(dielectric constant)為 11.7, C。 (每小題 10 分,共 20 分)
(二)當加上反偏壓使得空乏區內最大電場達 3 ✕ 105 V/cm 時,二極體出現累 增崩潰(avalanche breakdown),求崩潰電壓 VB 值約為多少?