申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：110年 - 110 高等考試_二級_電子工程：電子元件#101946
科目：電子元件
年份：110年
排序：0

題組內容

一、矽半導體於常溫下（300 K）之本質載子濃度（intrinsic carrier concentration） n i 為，均勻摻雜 N A (acceptor) = 及 ND(donor) =，已知電洞之位移率（mobility） = 480 cm2/V-s，電子之位移率= 1350 cm²/V-s，C。（每小題 10 分，共 20 分）

申論題內容

(二)若減少摻雜為不變，其電導率變為σ₂，求比例σ₁/σ₂ =？