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積體電路技術
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113年 - 113 高等考試_二級_電子工程:積體電路技術#123067
> 申論題
題組內容
三、試分別說明晶體成長時產生如下的四種晶體缺陷(Crystal defect):
(三)面缺陷(Area defect)
相關申論題
(四)體缺陷(3-D defect)
#523588
(一)硼原子在矽晶體的擴散長度 L(Diffusion length)
#523589
(二)每單位面積的硼雜質原子總數
#523590
(三)在表面 x = 0 處的擴散梯度(各小題均計算至小數點後第二位)(誤差函數公式:)(誤差函數公式:)
#523591
(一)這會產生何種效應?(4 分)
#523592
(二)如何解決改善?(6 分)
#523593
一、鑄造中鑄件的凝固時間可由 Chvorino 法則(Chvorino’s rule)估算。試利用 Chvorino’s rule 證明具有相同體積的鑄件,立方體鑄件凝固的時間比圓柱形鑄件短,其中圓柱體的高度與直徑相同。(25 分) Chvorino 法則:凝固時間 =C( )n ,其中 C 與 n 為常數。 鑄件表面積本題中假設 n = 2。
#523594
二、金屬罐可利用鈑金成形(sheet-metal forming)方式製作。對於三片式 (three-piece)金屬罐,假設其可以視為薄壁的壓力容器(thin-walled, ,則罐體的垂直接縫應該1.沿輥軋(rolling) internally-pressurized vessel) 方向,2.垂直於輥軋方向,還是3.斜向於金屬板材的輥軋方向?請使用材料力學中的公式解釋你的答案。(25 分)
#523595
(一)請說明為何在正交切削(orthogonal cutting)中,切削力隨著切削深度的增加和斜角(rake angle)的減少而增加?(10 分)
#523596
(二)為什麼不總是建議提高切削速度以提高生產效率?(5 分)
#523597
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