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半導體工程
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104年 - 104 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#22475
> 申論題
題組內容
三、請問答下列問題:
(二)何謂後退的濃度分布(retrograde channel doping profile),又其較常用於長通道 MOSFET 或短通道 MOSFET 之製作?為什麼?(10 分)
相關申論題
(一)此 Si 晶片之多數載子(majority carriers)為何種型態,n 型或 p 型?又此多數載子之 濃度為何?(10 分)
#23704
(二)此 Si 晶片之電阻係數(resistivity)約為多少?設 Si 之 ni = 1010 cm -3,且電子與電洞之 移動率各為 μn = 1600(公分)2 ∕(伏特.秒)與 μp = 450(公分)2 ∕(伏特.秒)。 (10 分)
#23705
(一)若此元件之固定氧化電荷(fixed oxide charge),QF為每平方公分 1012的電子電荷, 則其平帶電壓,VFB,應為多少?(10 分)
#23706
(二)若此元件之空乏區電荷 Qdep為 1.6×10-7 C/ cm2 ,則其臨界電壓 VT為何?又此元件 為增強型或是空乏型(enhancement-mode or depletion-mode device),請說明理由? (10 分)
#23707
(一)何謂 MOSFET 之短通道效應?為何會發生此效應?又此效應發生時會對元件之特 性產生何種利或弊?為什麼?(10 分)
#23708
(一)此金屬∕Si 接觸之 Schottky 能障,ФB,及空乏區寬度,W,各為何?(10 分)
#23710
(二)若欲將此金屬∕Si 接觸製作成歐姆態(ohmic metal-Si contact),則應作何處理? (設 Si 之εSi 為 1.0×10-12 F/cm)(10 分)
#23711
(一)成長一單位體積之 SiO2時,將消耗多少體積之 Si?(10 分)
#23712
(二)下列右圖中之Δ d 為多少 μm?(10 分)
#23713
五、隨著技術節點持續微縮,曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降,至鰭式場效電晶體(FinFET)時代,如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。(20 分)
#560352
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