申論題

五、考慮一個由金屬、氧化物、矽構成的 MOS 電容系統。金屬的工作函數 為 4.1 eV。氧化物的能隙為 8 eV，親和力（affinity）為 0.75 eV，厚度為 4 nm，介電係數為 3.8。矽的能隙為 1.1 eV，親和力為 4.15 eV，介電係數為 11.8。若矽經摻雜的電洞濃度為，矽在 300 K 的。波茲曼常數為eV/K。

(二)求氧化物電容的值，以 F/cm² 為單位。真空介電係數 ɛ₀ = F/cm。 單位電荷 q =C，若在氧化物與矽的介面出現一層面濃度為的正電荷，請問平能帶電壓的變化會如何？