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112年 - 112 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#118133
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申論題
試卷:112年 - 112 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#118133
科目:半導體工程
年份:112年
排序:0
申論題資訊
試卷:
112年 - 112 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#118133
科目:
半導體工程
年份:
112年
排序:
0
題組內容
二、
申論題內容
(二)請分別說明影響半導體中載子移動之「晶格散射(lattice scattering)」及「游離雜質散射(ionized impurity scattering)」之物理意義及其溫度效應。(10 分)