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中山◆電機◆電子學
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102年 - 102 國立中山大學_碩士班招生考試_電機系(甲、丙、戊組)、電波領域：電子學#110209
> 申論題
題組內容
1. (20%)
(c) Please derive
of the amplifier in Figure 1. (2%, 2%, 2%*8)
相關申論題
(a) What is the amplifier configuration in Figure 1.
#471777
(b) Explain why the Rs can improve the thermal stability of the amplifier.
#471778
(a) the voltage gain Vo/Vs,
#471780
(b) the input resistance, and (c) the output resistance (7%,7%, 6%)
#471781
(a) Draw an ENH mode NMOS (enhancement nMOSFET) and a DEP mode NMOS (depletion nMOSFET) respectively. Please explain what are the differences of
#471782
(b) their fabrication processes and the differences between
#471783
(c) their input characteristics and (d) their output characteristics , respectively. (5%, 5%, 5%, 5%)
#471784
(a) Using a simple (rπand gm) model for each of the two transistors in Figure 4.a, find the small-signal resistance between A and A '. Where = 16μA.
#471785
(b) Figure 4.b shows the circuit for determine the 741 op-amp output resistance when vo is positive and is conducting most of the current. Using the resistance of the network calculated in 4.(a) and neglecting the large output resistance of, find Ro when is sourcing an output current of 5mA. (10%,10%)
#471786
(a) Plot a Bridge full-wave rectifier and (b) explain the operation principle of it. Also, (c) please describe how to drive the PIV (peak inverse voltage) of the diodes used. (7%, 7%, 6%)
#471787
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of the amplifier in Figure 1. (2%, 2%, 2%*8)
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of the amplifier in Figure 1. (2%, 2%, 2%*8)