申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：99年 - 99 專利商標審查特種考試_二等_電子工程：積體電路製程技術#46998
科目：積體電路技術
年份：99年
排序：0

一、

⑴描述並繪出微影（Lithography）技術中，使用正光阻（Positive Photoresist）及負光阻（Negative Photoresist）於曝光、顯影蝕刻後薄膜形成之圖案，假設結構層為：光阻（Photoresist）/薄膜（Film）/基板（Substrate）。