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積體電路技術
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99年 - 99 專利商標審查特種考試_二等_電子工程:積體電路製程技術#46998
> 申論題
題組內容
一、
⑵同時比較兩種光阻在解析 度(Resolution)、對比(Contrast)、線幅(Line Width)之結果。
相關申論題
⑴描述並繪出微影(Lithography)技術中,使用正光阻(Positive Photoresist)及負 光阻(Negative Photoresist)於曝光、顯影蝕刻後薄膜形成之圖案,假設結構層為: 光阻(Photoresist)/薄膜(Film)/基板(Substrate)。
#161921
⑶並説明在多少 相對濕度環境下會有較好的黏附(Adhesion)。(20 分)
#161923
⑴敘述鎢金屬化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD-W)技術在極大型 積體電路 (ULSI) 應用上,氣相預清潔(Vapor Phase Precleaning)技術在沉積 速率(Deposition Rate)、選擇率(Selectivity)、矽耗(Si Consumption)、黏附 (Adhesion)之影響特性。
#161924
⑵並説明上述結果與傳統 RCA 清潔(RCA Cleaning) 技術之比較。( 20 分)
#161925
⑴説明電子迴旋共振化學氣相沉積(Electron Cyclotron Resonance, ECR-CVD)技 術之優點。
#161926
⑵描述ECR二氧化矽(SiO2 )之氧化機構(Oxidation Mechanism)。
#161927
⑶並説明與高溫爐乾/濕式(Furnace Dry/Wet)氧化機構之差異。( 20 分)
#161928
四、討論從半導體元件物理觀點,如何製造一個好的歐姆接觸(Ohmic Contact)? ( 20 分)
#161929
⑴説明在砷化鎵(GaAs)中,什麼是點缺陷(Point Defect)?
#161930
⑵為什麼可以容易製 造半絕緣砷化鎵材料?( 20 分)
#161931
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